特許

J-GLOBAL ID：200903050884836916

歪ヘテロ超格子構造の薄膜形成方法

発明者： 大野 守史 ,  足利 欣哉 ,  中村 稔之
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298624
公開番号（公開出願番号）：特開平7-153685
出願日： 1993年11月29日
公開日（公表日）： 1995年06月16日
要約：

【要約】【目的】 Si/Si-Geヘテロ界面の急峻性及び平坦性に優れた歪超格子構造の薄膜を形成する方法を提供する。【構成】 下地10上にSi-Ge層12を形成する。続いて、反応炉内を真空排気した後、Si-Ge層12上に希釈酸素系ガス及びシリコン含有IV族系水素ガスの混合ガスを用いて所定の加熱を行ってSiOx 膜14を形成する。その後、更に、反応炉内を真空排気した後、所定の加熱を行ってSiOx 膜14を除去する。次に、SiOx 膜14が除去されたSi-Ge層12上にシリコン(Si)層16を形成する。

請求項（抜粋）：

下地上に化学的気相成長(CVD)法を用いてSi/Si-Geをエピタキシャル成長させ、歪ヘテロ超格子構造の薄膜を形成する方法において、(a)前記下地上にシリコン-ゲルマニウム(Si-Ge)層を形成する工程と、(b)反応炉内を真空排気した後、前記Si-Ge層上に希釈酸素系ガス及びシリコン含有IV族系水素ガスの混合ガスを用いて所定の加熱を行ってSiO<SB>x </SB>膜(但し、xは0.8<x≦1.5)を形成する工程と、(c)その後、更に反応炉内を真空排気した後、所定の加熱を行って前記SiO<SB>x </SB>膜を除去する工程と、(d)前記SiO<SB>x </SB>膜が除去された前記Si-Ge層上にシリコン(Si)層を形成する工程とを含むことを特徴とする歪ヘテロ超格子構造の薄膜形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205