特許

J-GLOBAL ID：200903050886169402

位相シフトマスクの製造方法および位相差測定方法

発明者： 加茂 隆 ,  金井 秀樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-058397
公開番号（公開出願番号）：特開2000-258890
出願日： 1999年03月05日
公開日（公表日）： 2000年09月22日
要約：

【要約】【課題】本発明は、ハーフトーン・マスクの製造において、ハーフトーン膜の位相差を実パターンにより正確に測定できるようにすることを最も主要な特徴とする。【解決手段】たとえば、ハーフトーン・マスクを仕上げる前に、マスク本体の遮光膜パターン13’の一部を除去し、ハーフトーン膜マスク部10aと遮光膜マスク部10bとが混在する位相差測定用マスクを作成する。そして、このマスクの光学像を取得し、遮光膜マスク部10bのフォーカスの中心を原点としたときの、ハーフトーン膜マスク部10aのフォーカスの中心からのベストフォーカス位置のシフト量を導出して、実パターンでの位相差の評価を行う。一方、光学像を取得した後に、マスク本体の遮光膜パターン13’をすべて除去することで、ハーフトーン膜12の位相差が明らかなハーフトーン・マスクを製造できる。

請求項（抜粋）：

基板上に位相シフト膜および遮光膜を順次積層形成させる工程と、前記位相シフト膜および前記遮光膜をパターニングする工程と、前記基板上の一部領域において、前記位相シフト膜のパターン上の前記遮光膜を除去し、遮光膜マスク部および位相シフト膜マスク部を形成する工程と、前記遮光膜マスク部および前記位相シフト膜マスク部の光学像を取得した後、前記遮光膜を除去する工程とを備えてなることを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。

IPC (2件)：

G03F 1/08 ,  H01L 21/027

FI (3件)：

G03F 1/08 A ,  G03F 1/08 S ,  H01L 21/30 502 P

Fターム (6件)：

2H095BA02 ,  2H095BB03 ,  2H095BC08 ,  2H095BD02 ,  2H095BD18 ,  2H095BD20