特許

J-GLOBAL ID：200903050889330689

分布帰還型半導体レーザ装置およびその製造方法

発明者： 小原 治
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164363
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013870
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、分布帰還型半導体レーザ装置およびその製造方法に関し、回折格子が後の半導体層を気相成長する際の高温によって変形するのを防ぐ熱変形防止層の上に屈折率が小さいバッファ層を形成することによって、活性層への光閉じ込めを強くし、低しきい値電流動作を実現することを目的とする。【構成】 半導体基板1の上に形成された回折格子2と、この回折格子2を覆って形成された屈折率が光ガイド層5および活性層6より大きい材料からなり、この回折格子の熱変形を防止するための熱変形防止層3と、その上に形成された屈折率が該熱変形防止層3より小さい材料からなるバッファ層4と、その上に形成された光ガイド層5と、その上に形成された活性層6を含むように構成した。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上に形成された回折格子と、この回折格子を覆って形成された屈折率が光ガイド層および活性層より大きい材料からなり、該回折格子の熱変形を防止するための熱変形防止層と、その上に形成された屈折率が該熱変形防止層より小さい材料からなるバッファ層と、その上に形成された光ガイド層と、その上に形成された活性層を含むことを特徴とする分布帰還型半導体レーザ装置。