特許

J-GLOBAL ID：200903050890042956

シリカ含有セラミック被覆の形成方法

発明者： デビッド スティーブン バランス ,  ローレン アンドリュー ハルスカ ,  マーク ジョン ロボダ
出願人/特許権者： ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
代理人 (1件)： 宇井 正一 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-273543
公開番号（公開出願番号）：特開平6-206784
出願日： 1993年11月01日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 電子デバイスのような基材上に保護及び誘電性被覆を形成するのに特に有効な方法を提供する。【構成】 シリカ前駆物質を含んでなる被覆を基材に適用し、この塗布された基材を、シリカ前駆物質をシリカ含有セラミック被覆に変えるのに十分な温度で亜酸化窒素を含む環境中で加熱することにより、低温で基材上にシリカ含有セラミック被覆を形成する。

請求項（抜粋）：

加水分解された又は部分的に加水分解されたRn Si(OR)4-n を含んでなるシリカ前駆物質含有被覆(式中の各Rは個々に、炭素原子数1〜20の、脂肪族、脂環式又は芳香族置換基であり、nは0〜3である)を基材に適用し、そしてこの被覆された基材を、亜酸化窒素を含んでいる雰囲気中において100〜600°Cの温度で1〜3時間加熱して、当該シリカ前駆物質含有被覆をシリカ含有セラミック被覆に変えることを含む、基材上にシリカ含有セラミック被覆を形成する方法。

IPC (3件)：

C04B 41/87 ,  B32B 18/00 ,  C01B 33/12