基板処理装置および基板処理方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊東忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-072650
公開番号（公開出願番号）：特開2004-281824
出願日： 2003年03月17日
公開日（公表日）： 2004年10月07日
要約：

【課題】非常に薄い、膜厚が0.4nmあるいはそれ以下の酸化膜、酸窒化膜を増膜を最小限に抑制して効率よく窒化できる窒化方法を提供する。【解決手段】酸素ラジカル形成機構によって酸素ラジカルを形成し、形成された酸素ラジカルで、シリコン基板を酸化してシリコン基板上に酸化膜を形成し、さらに窒素ラジカル形成機構で窒素ラジカルを形成して、前記酸化膜膜表面を窒化して酸窒化膜を形成する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

処理空間を画成する処理容器と、前記処理空間中の被処理基板を保持する回動自在の保持台と、前記保持台の回動機構と、前記処理容器上、前記保持台に対して第1の側の端部に設けられた、高周波プラズマにより窒素ラジカルを形成して前記窒素ラジカルが前記被処理基板表面に沿って前記第1の側から前記被処理基板を隔て対向する第2の側に流れるように前記処理空間に供給する窒素ラジカル形成部と、前記第1の側の端部に設けられた、高周波プラズマにより酸素ラジカルを形成して前記酸素ラジカルが前記被処理基板表面に沿って前記第1の側から前記第2の側に流れるように前記処理空間に供給する酸素ラジカル形成部と、前記第2の側の端部に設けられ、前記処理空間を排気する排気経路とを有し、前記窒素ラジカルおよび酸素ラジカルは、それぞれ前記窒素ラジカル形成部および酸素ラジカル形成部より前記排気経路に向かって前記被処理基板表面に沿った窒素ラジカル流路および酸素ラジカル流路を形成して流れることを特徴とする基板処理装置。

IPC (2件)：

H01L21/318 , H01L21/316

FI (2件)：

H01L21/318 C , H01L21/316 A

Fターム (9件)：

5F058BA11 , 5F058BC11 , 5F058BF73 , 5F058BF74 , 5F058BF80 , 5F058BG01 , 5F058BG02 , 5F058BG04 , 5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-280896
特開昭63-027022
特開昭62-191493

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