特許

J-GLOBAL ID：200903050894034044

窒化ホウ素系ナノ構造物の製造方法

発明者： 奥 健夫 ,  成田 一人
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 原 謙三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-388122
公開番号（公開出願番号）：特開2003-192314
出願日： 2001年12月20日
公開日（公表日）： 2003年07月09日
要約：

【要約】【課題】 BNナノチューブなどの窒化ホウ素系ナノ構造物を、安価、容易かつ高生成率で製造可能な方法を提供する。【解決手段】 イットリウム、ニオブおよびジルコニウムからなる群より選択される1種以上の元素とホウ素とを含むホウ素含有材料を、窒素の存在下で溶解することで窒化ホウ素系ナノ構造物を製造する。ホウ素含有材料の溶解は、例えば、アーク溶解により行う。

請求項（抜粋）：

イットリウム、ニオブおよびジルコニウムからなる群より選択される1種以上の元素とホウ素とを含むホウ素含有材料を、窒素の存在下で溶解する工程を含んでなることを特徴とする窒化ホウ素系ナノ構造物の製造方法。