半導体装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296496
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147287
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：

【要約】【目的】SiGeベースおよびSiGeコレクタを有するシリコンヘテロ接合バイポーラトランジスタのドリフト電界を高め、ベース層中のキャリアの移動度を向上させ、かつベース・コレクタ接合領域において寄生エネルギ障壁の発生を抑制する。【構成】ベース層およびコレクタ層がGeを含む単結晶シリコンからなるバイポーラトランジスタにおいて、ベース層10中のGeの濃度はエミッタ層13側が低くコレクタ層3A側が高い分布を有し、コレクタ層中のGeの濃度はベース層側が高くコレクタ内部の高濃度埋込み層2側が低い分布を有しかつ該コレクタ層内のGe濃度はベース層側で急激に減少し埋込み層側で緩やかに減少するように構成する。

請求項（抜粋）：

ベース層およびコレクタ層がゲルマニウムを含む単結晶シリコン層からなるバイポーラトランジスタを含む半導体装置において、前記ベース層中の深さ方向のゲルマニウム濃度はエミッタ層側が低くコレクタ層側が高い分布を有し、コレクタ層中の深さ方向のゲルマニウム濃度はベース層側が高くコレクタ層内部の高濃度埋込み層側が低い分布を有しかつ該コレクタ層内の深さ方向のゲルマニウム濃度はベース層側で急激に減少し埋込み層側で緩やかに減少する分布を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/331 , H01L 29/73 , H01L 21/8249 , H01L 27/06 , H01L 29/205

FI (3件)：

H01L 29/72 , H01L 27/06 321 H , H01L 29/205

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