特許
J-GLOBAL ID：200903050900686814
パターン形成方法及び投影露光装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-332716
公開番号（公開出願番号）：特開平6-181154
出願日： 1992年12月14日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：
【要約】【目的】 光リソグラフィを用いて、0.2〜0.3μmの回路寸法を有するLSIパターンを形成する。【構成】 マスク上のパターンを投影レンズを介して基板上へ投影露光する際に、2次光源面上で光軸を中心にほぼ輪帯状の照度分布を有する有効光源を用いて上記マスクを照明するとともに、上記マスクパターンの結像面を上記基板表面に対して光軸方向の相対的に異なる複数の位置に設定して多重露光する。【効果】 簡便な方法を用いて、最小寸法が波長と同程度でかつ、孤立線と繰返しパターンの両方を含む様な複雑なマスクパターンに対しても高いコントラストと深い焦点深度が同時に得られる。
請求項（抜粋）：
所定のパターンを有するマスクと、該マスクの上記パターンが露光される基板とを用い、上記マスクの上方にある光源から該マスクより下方に配置されたレンズを介して、上記マスク上のパターンを上記基板に露光してパタ-ンを形成するパタ-ン形成方法であって、2次光源面上で光軸を中心にほぼ輪帯状の照度分布を有する有効光源を用いて上記マスクを照明するとともに、上記マスクパターンの結像面を上記基板表面に対して光軸方向の相対的に異なる複数の位置に設定して多重露光することを特徴とするパターン形成方法。
IPC (5件)：
H01L 21/027
, G03B 27/32
, G03B 27/54
, G03F 7/20 501
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 301 C
, H01L 21/30 311 L
