特許
J-GLOBAL ID：200903050905728108

半導体素子及びその製造方法

発明者：
伊藤 茂稔

伊藤 茂稔 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-082778
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340510
出願日： 1999年03月26日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 GaN系半導体素子において、ドーピング効率を向上することにより、特性の改善されたGaN系半導体素子を得ることを目的とする。【解決手段】 本発明の半導体素子は、ウルツ鉱型結晶構造のGaN系結晶膜と前記ウルツ鉱型結晶構造のGaN系結晶膜上に不純物を添加したGaN系半導体層とを備え、ウルツ鉱型構造のGaN系結晶膜の上面は、(000-1)面である。
請求項（抜粋）：
ウルツ鉱型結晶構造を有するGaN系結晶膜と、前記GaN系結晶膜上に形成された不純物を添加したGaN系半導体層とを備えた半導体素子において、前記GaN系結晶膜の上面は、(000-1)面であることを特徴とする半導体素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18 673
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18 673
引用特許：
審査官引用 (6件)
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