特許
J-GLOBAL ID：200903050908743779
積層型バリスタの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
下市 努
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-224848
公開番号（公開出願番号）：特開平5-047513
出願日： 1991年08月08日
公開日（公表日）： 1993年02月26日
要約：
【要約】【目的】 焼結体にガラス膜をコーティング処理する際の酸素の離脱を防止して漏れ電流を低減できる積層型バリスタの製造方法を提供する。【構成】 半導体セラミックス層2と内部電極3とを交互に積層した後一体焼結して焼結体4を形成する。次に焼結体4をガラス粉末とともに容器内に収容し、該容器を回転させつつ上記ガラスの軟化点以上の温度で加熱処理することによって上記焼結体4の外表面部分にガラス膜6を形成して積層型バリスタ1を製造する。この場合、上記容器内の酸素分圧を20%以上に保持する。
請求項（抜粋）：
半導体セラミックス層と内部電極とを交互に積層した後一体焼結して焼結体を形成し、該焼結体をガラス粉末とともに容器内に収容し、該容器を回転させつつ上記ガラスの軟化点以上の温度で加熱処理することにより、上記焼結体の外表面部分にガラス膜を形成するようにした積層型バリスタの製造方法において、上記容器内の酸素分圧を20%以上に保持したことを特徴とする積層型バリスタの製造方法。
IPC (2件)：
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