特許

J-GLOBAL ID：200903050911446424

バリア金属層形成方法

発明者： ギリッシュ エイ. ディクシット ,  フ-タイ リョウ ,  チュ-シア ウェイ ,  フーセン チェン
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクス, インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 小橋 一男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-315362
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267211
出願日： 1992年11月25日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 集積回路において、低抵抗コンタクトを得る。【構成】 多結晶シリコン又は金属などの物質からなる上側に存在する導電層を形成する前に、窒化チタン層を形成する。部分的に形成した集積回路装置上及びコンタクト開口内にCVD窒化チタンを付着形成する。次いで、この窒化チタン層を酸素を含有する雰囲気中に露呈させ、従って酸素原子が窒化チタン層内に拡散する。別の実施形態においては、チタン層及び窒化チタン層を順次集積回路装置上にスパッタ形成する。次いで、窒化物層を酸素雰囲気に露呈させるか、又は酸素をスパッタ付着期間中に窒化チタン層内に導入させる。

請求項（抜粋）：

集積回路装置上にバリア層を製造する方法において、前記装置上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を貫通して開口を形成し下側に存在する導電層の一部を露出させ、前記絶縁層上及び前記開口内に窒化チタン層を形成し、前記窒化チタン層を酸素を含有する雰囲気に露呈させて前記窒化チタン層内に酸素分子を拡散させる、上記各ステップを有することを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/90