特許
J-GLOBAL ID：200903050913665581
電流狭窄構造を有する半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
鈴木 雄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-131268
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061588
出願日： 1993年05月06日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：
【要約】【目的】 リーク電流を減少させた電流狭窄構造を有する半導体素子を提供する。【構成】 電流狭窄構造を有し、前記電流狭窄構造に、入射キャリアを波動として反射し、かつ、入射波と反射波とが強め合う位相となるように反射し得る作用を有する多重量子障壁構造10を設ける。
請求項（抜粋）：
電流狭窄構造を有し、前記電流狭窄構造に、入射キャリアを波動として反射し、かつ、入射波と反射波とが強め合う位相となるように反射し得る作用を有する多重量子障壁構造を設けたことを特徴とする電流狭窄構造を有する半導体素子。
IPC (2件)：
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