特許
J-GLOBAL ID：200903050918510926
メッキによるバンプ電極の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡本 啓三
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-245883
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077448
出願日： 1998年08月31日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：
【要約】【課題】本発明は、簡易な方法を用いてボイドの発生を確実に予測し、かつその上で、メッキによる金属膜の成膜を経てボイドのないバンプ電極を形成することが可能なメッキによるバンプ電極の形成方法を提供する。【解決手段】基板上の下地導電膜の上に前記バンプ電極を形成する前に、調査用基板上の下地導電膜と同じ材料のモニタ用下地導電膜の上に、バンプ電極形成のための金属膜の膜厚よりも薄い膜厚で、かつ金属膜と同じ材料のモニタ用金属膜を形成する工程と、モニタ用金属膜を加熱してモニタ用金属膜の溶融温度以上に保持する工程と、加熱後のモニタ用金属膜の表面を観察してモニタ用金属膜の表面状態を検査する工程とを有する。
請求項（抜粋）：
基板上の下地導電膜の上にメッキにより金属膜を形成した後、前記金属膜を加熱し、溶融させてバンプ電極を形成するメッキによるバンプ電極の形成方法において、前記基板上の下地導電膜の上に前記バンプ電極を形成する前に、モニタ用基板上の前記下地導電膜と同じ材料のモニタ用下地導電膜の上に、前記バンプ電極形成のための金属膜の膜厚よりも薄い膜厚で、かつ前記金属膜と同じ材料のモニタ用金属膜を形成する工程と、前記モニタ用金属膜を加熱して前記モニタ用金属膜の溶融温度以上に保持する工程と、前記加熱後のモニタ用金属膜の表面を観察して該モニタ用金属膜の表面状態を検査する工程とを有することを特徴とするメッキによるバンプ電極の形成方法。
FI (2件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 604 T
