半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-081388
公開番号（公開出願番号）：特開平9-275196
出願日： 1996年04月03日
公開日（公表日）： 1997年10月21日
要約：

【要約】【課題】反転耐圧及びパンチスルー耐圧を確保しながら、素子分離幅が小さい半導体装置及びこのような半導体装置を複雑なプロセスを用いずに容易かつ確実に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子分離を必要とする隣接する素子相互のソース、ドレイン領域を、分離溝の下に、共通する幅広の不純物拡散層線として形成する。そして、ゲート絶縁膜と分離絶縁膜とを覆う第1導電膜に対して、分離を行うパターニングを行う。同時に、ここで用いる耐エッチング膜を利用して同じパターンで分離絶縁膜を貫通し、基板までエッチングを行い、基板に素子分離溝(トレンチ)を形成し、この素子分離溝で基板に形成した不純物拡散層線を分断してソース線とドレイン線を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、半導体基板表面に形成されたゲート絶縁膜と、該ゲート絶縁膜の両側方に形成された分離絶縁膜と、該分離絶縁膜下面の基板に形成された不純物拡散層と、該ゲート絶縁膜と分離絶縁膜の上に形成された第1導電膜と、該第1導電膜、分離絶縁膜、及び不純物拡散層をそれぞれ分断して貫通し、基板面と垂直方向に形成され、絶縁材料で埋め込まれた素子分離溝とを有する半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/115 , H01L 21/76 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 27/10 434 , H01L 21/76 L , H01L 21/76 S , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体記憶装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-311304 出願人：日本電気株式会社
特開平3-055880
特開平4-097516

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