特許

J-GLOBAL ID：200903050937990610

計測装置および計測方法

発明者： 勝又 竜太 ,  早坂 伸夫 ,  安田 直樹 ,  宮島 秀史 ,  東川 巌 ,  堀田 正樹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-065147
公開番号（公開出願番号）：特開平10-031039
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年02月03日
要約：

【要約】【課題】SiO2 膜の電位差をSiO2 膜に本来不要なキャパシタなどの電荷検出用の構造体を形成することなく計測すること。【解決手段】赤外領域の波長を含む光2をSiO2 膜7に照射し、このSiO2膜7に吸収される光のうち、SiO2 膜7に固有の吸収波長領域における光の吸収量の変化量に基づいて、SiO2 膜7の電位差を計測する。

請求項（抜粋）：

赤外領域の波長を含む光を絶縁膜に照射する光照射手段と、前記絶縁膜で吸収される前記光のうち、前記絶縁膜に固有の吸収波長領域における光の吸収量を検出する光吸収量検出手段と、前記光の吸収量の変化量に基づいて、前記絶縁膜の電位差を計測する電位差計測手段とを具備してなることを特徴とする計測装置。

IPC (8件)：

G01R 15/22 ,  G01J 5/58 ,  G01N 21/27 ,  G01N 27/60 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/66 ,  H05H 1/46

FI (10件)：

G01R 15/07 Z ,  G01J 5/58 ,  G01N 21/27 Z ,  G01N 27/60 A ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/66 Q ,  H01L 21/66 P ,  H01L 21/66 L ,  H05H 1/46 Z ,  H01L 21/302 B