特許

J-GLOBAL ID：200903050938893627

II-VI族化合物半導体から成る発光受光素子用の電極

発明者： 大畑 豊治
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 山本 孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-163040
公開番号（公開出願番号）：特開平8-008484
出願日： 1994年06月22日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】p型II-VI化合物半導体結晶層とオーミック接触を形成し得る、II-VI族化合物半導体から成る発光素子用あるいは受光素子用の電極を提供する。【構成】II-VI族化合物半導体から成る発光受光素子用の電極は、p型II-VI族化合物半導体結晶層20上に形成されたp型のダイアモンド系炭素層21、及びその上に形成された金属層22から成る。あるいは又、p型II-VI族化合物半導体結晶層上に形成されたp型のβ型SiC層(SiとCが面心立方格子を組む閃亜鉛鉱型構造を有するSiC層)、及びその上に形成された金属層から成る。

請求項（抜粋）：

p型II-VI族化合物半導体結晶層上に形成されたp型のダイアモンド系炭素層、及びその上に形成された金属層から成ることを特徴とする、II-VI族化合物半導体から成る発光受光素子用の電極。