特許
J-GLOBAL ID:200903050939567529
表示画素回路および自己発光型表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-236732
公開番号(公開出願番号):特開2003-043999
出願日: 2001年08月03日
公開日(公表日): 2003年02月14日
要約:
【要約】【課題】消費電力を増大させせずに所望の階調数を得る。【解決手段】有機EL表示装置は第1および第2電源端子VSS,VDDと、これら電源端子VSS,VDD間に接続され定電流の通電期間に対応する輝度で発光する有機EL素子16と、有機EL素子16と直列に接続されこの有機EL素子16に流れる定電流をスイッチングする駆動トランジスタ17と、映像信号に基いて駆動トランジスタ17を制御する制御部とを備える。特に、この制御部は各フレーム期間において連続的に変化するバイアス電圧を映像信号に重畳して駆動トランジスタ素子のゲートに供給し、この駆動トランジスタ素子のスレッショルド電圧に対するゲート・ソース間電圧の遷移により駆動トランジスタ素子の導通期間および非導通期間の比率を設定するバイアス回路25,24を含む。
請求項(抜粋):
第1および第2電源端子と、前記第1および第2電源端子間に接続され定電流の通電期間に対応する輝度で発光する発光素子と、前記発光素子と直列に接続され前記発光素子に流れる定電流をスイッチングする駆動トランジスタ素子と、映像信号に基いて前記駆動トランジスタ素子を制御する制御部とを備え、前記制御部は各フレーム期間において連続的に変化するバイアス電圧を前記映像信号に重畳して前記駆動トランジスタ素子のゲートに供給し、前記駆動トランジスタ素子のスレッショルド電圧に対するゲート・ソース間電圧の遷移により前記駆動トランジスタ素子の導通期間および非導通期間の比率を設定するバイアス回路を含むことを特徴とする表示画素回路。
IPC (5件):
G09G 3/30
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
, G09G 3/20 641
, H05B 33/14
FI (5件):
G09G 3/30 K
, G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, G09G 3/20 641 A
, H05B 33/14 A
Fターム (31件):
3K007AB02
, 3K007AB05
, 3K007AB17
, 3K007BA06
, 3K007DA01
, 3K007DB03
, 3K007EB00
, 3K007GA02
, 3K007GA04
, 5C080AA06
, 5C080BB05
, 5C080DD03
, 5C080DD26
, 5C080EE29
, 5C080FF11
, 5C080JJ03
, 5C080JJ04
, 5C080JJ05
, 5C094AA07
, 5C094AA22
, 5C094BA03
, 5C094BA27
, 5C094CA19
, 5C094CA25
, 5C094DA09
, 5C094FB01
, 5C094FB12
, 5C094FB14
, 5C094FB15
, 5C094FB20
, 5C094GA10
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