特許
J-GLOBAL ID：200903050941657926
不揮発性半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-286774
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148587
出願日： 1994年11月21日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【目的】均一な消去特性が得られ、データの誤読み出しを防止できると共に、電荷の保持特性を高めることができる不揮発性半導体記憶装置を提供することを目的としている。【構成】基板上にゲート酸化膜27を介してフローティングゲート28を備えたメモリセル構造を有し、データの書き込みをフローティングゲート28へのチャネルホットエレクトロン注入で行い、消去をフローティングゲート28へのホットホール注入により行うことを特徴としている。書き込み及び消去ともにホットキャリアを用いるので、膜厚の薄いトンネル酸化膜が不要になり、トンネル酸化膜の形成不良に起因する誤読み出しなどの不良が発生し難くなる。また、ホットキャリア注入は、F-Nトンネル電流と比較して酸化膜厚のばらつき等の変動に影響され難いため、均一な消去特性が得られ、過消去の発生を抑制できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にゲート酸化膜を介して形成されたフローティングゲートを備えたメモリセルを有し、このメモリセルへのデータの書き込み及び消去を、上記フローティングゲートへのチャネルホットエレクトロン注入とホットホール注入により行うことを特徴とする不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
