特許

J-GLOBAL ID：200903050943320430

フォトマスク、フレア測定機構、フレア測定方法、及び、露光方法

発明者： 渡邉 晋生
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (3件)： 高田 守 ,  高橋 英樹 ,  大塚 環
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-085281
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296648
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：

【課題】高次波面収差に起因する投影レンズの局所的なフレア率を測定する。【解決手段】基板の中央に形成されたラインパターンを有する同一の中央パターン部と、この中央パターン部の周囲に形成された周辺パターン部とを含むパターンを備え、互いに、中央パターン部と、周辺パターン部との間の距離が異なる2種類のフォトマスク上のパターンを、それぞれ、ウェーハに転写する。その後、それぞれのフォトマスクのラインパターンに対応する転写パターンの各線幅を測定する。この各線幅の差を求め、線幅差から、フレア率を算出する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

露光光を透過する材料からなる基板に、前記露光光を遮光する材料を用いて遮光部分を設けることによりパターンを形成したフォトマスクであって、 前記パターンは、 前記基板の中央部分に、所定の間隔をあけて形成された複数本のラインパターンを含む中央パターン部と、 前記中央パターン部の外側を囲み、前記基板の外周部付近に形成された周辺パターン部と、 を備えることを特徴とするフォトマスク。

IPC (3件)：

H01L21/027 ,  G03F1/08 ,  G03F7/20

FI (3件)：

H01L21/30 516D ,  G03F1/08 D ,  G03F7/20 521

Fターム (11件)：

2H095BA01 ,  2H095BB02 ,  2H095BC04 ,  5F046AA25 ,  5F046BA03 ,  5F046CA04 ,  5F046CB12 ,  5F046CB17 ,  5F046DA02 ,  5F046DA12 ,  5F046DD06