特許
J-GLOBAL ID:200903050947403110

誘電体磁器組成物、積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 吉村 俊一
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-073856
公開番号(公開出願番号):特開2005-263508
出願日: 2004年03月16日
公開日(公表日): 2005年09月29日
要約:
【課題】X8R特性を満足すると共に、平均故障寿命が長く及び/又は寿命バラツキの小さい誘電体磁器組成物及び積層型セラミックコンデンサの提供。【解決手段】主成分であるチタン酸バリウムと、第1副成分(Mg、Ca、Ba及びSrの各酸化物の少なくとも1種)、第2副成分(1モル中にSi原子を1モル含有する酸化物)、第3副成分(V、Mo及びWの各酸化物の少なくとも1種)、第4副成分(R1酸化物(R1は、Sc、Er、Tm、Yb及びLuの少なくとも1種))、第5副成分(R2酸化物(R2は、Y、Dy、Ho、Tb、Gd及びEuの少なくとも一種))、第6副成分(Mn及びCrの酸化物の少なくとも1種)、第7副成分(ジルコニウム酸カルシウム及びCa酸化物とZr酸化物との混合物の少なくとも1種)とを含有し、第2副成分中のSi原子のモル数を、副成分中の原子の総モル数に対し規定した誘電体磁器組成物。【選択図】なし
請求項(抜粋):
チタン酸バリウムのモル数を100モルとして各成分のモル数を相対的に表したときに、 (a)チタン酸バリウムと、(b)Mg酸化物、Ca酸化物、Ba酸化物及びSr酸化物から選択される少なくとも1種であり、それぞれMgO,CaO,BaO及びSrOに換算したときのモル数で0を超え7モル以下の第1副成分と、(c)1モル中にSi原子を1モル含有する酸化物であり、当該酸化物に換算したモル数で0.5〜12モルの第2副成分と、(d)V酸化物、Mo酸化物及びW酸化物から選択される少なくとも1種であり、それぞれV2O5,MoO3及びWO3に換算したモル数で0.01〜0.5モルの第3副成分と、(e)R1酸化物(R1は、Sc、Er、Tm、Yb及びLuから選択される少なくとも1種)を少なくとも1種含むものであり、それぞれR12O3に換算したモル数で0〜7モルの第4副成分と、(f)R2酸化物(R2は、Y、Dy、Ho、Tb、Gd及びEuから選択される少なくとも一種)を少なくとも1種含むものであり、それぞれR22O3に換算したモル数で0.5〜9モルの第5副成分と、(g)Mn酸化物及びCr酸化物から選択される少なくとも1種であり、それぞれMnO及びCr2O3に換算したモル数で0を超え0.5モル以下の第6副成分と、(h)ジルコニウム酸カルシウム及びCa酸化物とZr酸化物との混合物の少なくとも1種であり、それぞれCaZrO3及びCaO+ZrO2に換算したモル数で0を超え5モル以下の第7の副成分とを含有し、 前記第2副成分中のSi原子のモル数Aと、当該Si原子と酸素原子とを除く前記第1副成分〜第7副成分中の原子の総モル数Bとの比(A/B)が0.2以上であり、 前記第4副成分のモル数と前記第5副成分のモル数との和が3モル以上であることを特徴とする誘電体磁器組成物。
IPC (4件):
C04B35/46 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30
FI (5件):
C04B35/46 D ,  H01B3/12 303 ,  H01G4/12 358 ,  H01G4/12 364 ,  H01G4/30 301E
Fターム (72件):
4G031AA03 ,  4G031AA04 ,  4G031AA05 ,  4G031AA06 ,  4G031AA07 ,  4G031AA08 ,  4G031AA11 ,  4G031AA12 ,  4G031AA13 ,  4G031AA16 ,  4G031AA17 ,  4G031AA18 ,  4G031AA19 ,  4G031AA30 ,  4G031BA09 ,  4G031CA08 ,  4G031GA17 ,  5E001AB03 ,  5E001AC09 ,  5E001AE02 ,  5E001AE03 ,  5E001AE04 ,  5E001AF06 ,  5E001AH01 ,  5E001AH09 ,  5E001AJ01 ,  5E001AJ02 ,  5E001AJ03 ,  5E082AA01 ,  5E082AB03 ,  5E082BC38 ,  5E082BC40 ,  5E082EE04 ,  5E082EE23 ,  5E082EE35 ,  5E082FF05 ,  5E082FG04 ,  5E082FG26 ,  5E082FG46 ,  5E082FG54 ,  5E082GG10 ,  5E082GG11 ,  5E082GG26 ,  5E082GG28 ,  5E082JJ03 ,  5E082JJ12 ,  5E082JJ15 ,  5E082JJ23 ,  5E082KK01 ,  5E082LL03 ,  5E082PP03 ,  5E082PP10 ,  5G303AA01 ,  5G303AB06 ,  5G303AB11 ,  5G303AB14 ,  5G303BA12 ,  5G303CA01 ,  5G303CB03 ,  5G303CB06 ,  5G303CB10 ,  5G303CB17 ,  5G303CB18 ,  5G303CB30 ,  5G303CB32 ,  5G303CB35 ,  5G303CB36 ,  5G303CB37 ,  5G303CB39 ,  5G303CB40 ,  5G303CB41 ,  5G303CB43
引用特許:
出願人引用 (2件)
  • 特許第3348081号
  • 特許第3341003号

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