特許

J-GLOBAL ID：200903050960223147

半導体装置およびその作製方法

発明者： 山崎 舜平
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-345633
公開番号（公開出願番号）：特開平9-162415
出願日： 1995年12月09日
公開日（公表日）： 1997年06月20日
要約：

【要約】【目的】 微細化された半導体装置の作製工程において、コンタクトの形成に際するプロセスマージンを大きくする。【構成】 ゲイト電極106の形成の際に同時にパターン105と107を形成する。そして、それらの表面に陽極酸化膜108〜110を形成する。さらに層間絶縁膜113を形成し、コンタクトホール114を形成する。この時、コンタクトホール114の位置がずれてものその表面に陽極酸化膜108と109が形成されたアルミニウムパターンが存在しているので、位置ずれによる不良の発生を防止することができる。

請求項（抜粋）：

半導体と、前記半導体上に形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された陽極酸化可能な材料でなる複数のパターンと、を有し、前記複数のパターンの表面には陽極酸化膜が形成されており、パターンの少なくとも一つは前記半導体へのコンタクト位置を決める機能を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768

FI (5件)：

H01L 29/78 616 K ,  H01L 21/28 L ,  H01L 21/90 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 617 W