特許

J-GLOBAL ID：200903050963348285

半導体装置の製造装置

発明者： 鳥居 道治
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-224553
公開番号（公開出願番号）：特開2004-071608
出願日： 2002年08月01日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：

【課題】2層テープキャリア使用のCOF(Chip On Film)構造のTCP(Tape Carrier Package)は、テープ基材側からボンディングツールを押し当て加圧する為に、テープ基材の線膨張係数とチップの線膨張係数の差による応力差が発生し、接合後テープのインナーリードとチップの電極パッド界面で剥がれが発生していた。【解決手段】ツール形状を凹状態に加工し、ツールとポリイミドの接触面を最小限にし、インナーリードと電極部のみを押さえる構造とし、ポリイミドテープの熱膨張応力を抑制する。ボンディング直後、クランパから冷却用エアーをテープ面に当て急冷却をする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体チップが載置されるボンディングステージと、 前記ボンディングステージ上方に2層テープキャリアを配置し、 搬送してクランプする機能を有する固定治具と、 前記2層テープキャリアの電極部インナーリード部を、荷重制御可能に設けられたボンディングツールで、前記2層テープキャリア越しに前記半導体チップの電極とを位置合わせして、前記半導体チップに熱圧着する機能を有する半導体装置の製造装置において、 前記ボンディングツールと、前記ボンディングステージは、熱圧着時の加熱温度近傍の温度で、それぞれ前記2層テープキャリアと、前記半導体チップ裏面の接触面を高温研磨し、表面平坦度が平坦になるように加工するが、表面研磨を意図的に、前記ボンディングツールは長辺中央部分が0μm〜最大2.0μm程度凹状態での平坦度を有するように表面研磨し、逆に前記ボンディングステージは、長辺中央部分が0μm〜最大2.0μm程度凸状態での平坦度を有し、前記ボンディングツールと前記ボンディングステージが接合時に接触する押圧面が平行になるように表面研磨することを特徴とする半導体装置の製造装置。

IPC (1件)：

H01L21/60

FI (1件)：

H01L21/60 311T

Fターム (6件)：

5F044KK03 ,  5F044MM04 ,  5F044MM16 ,  5F044NN08 ,  5F044PP02 ,  5F044PP09