特許
J-GLOBAL ID：200903050966045720

電界効果型半導体装置及びその製造方法

発明者：
黒田 英明

黒田 英明 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 土屋 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-042412
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213610
出願日： 1995年02月07日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【目的】 拡散層のシート抵抗を低くして動作を高速にし、微細化を可能にし、全体的な製造工程を少なくして製造コストも低くする。【構成】 ゲート電極であるタングステンポリサイド層35を覆うSiO2 膜16、34と素子分離領域のSiO2 膜12とに拡散層17が囲まれており、チタンポリサイド層44が拡散層17の全面にコンタクトすると共にSiO2 膜12、16上に広がっている。このため、チタンポリサイド層44に対してコンタクト孔25を開口する場合の位置合わせ余裕が大きく、従ってコンタクト補償イオン注入も不要である。
請求項（抜粋）：
ゲート電極を覆う絶縁膜と素子分離領域とに拡散層が囲まれており、少なくとも表面部がシリサイド膜である導電層が、前記拡散層の全面にコンタクトすると共に、前記絶縁膜上及び前記素子分離領域上に広がっていることを特徴とする電界効果型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/285 301
引用特許：
審査官引用 (12件)
  • 特開平2-156542
  • 特開平2-156542
  • 特開昭64-081269
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