半導体レーザおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉浦正知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-146119
公開番号（公開出願番号）：特開2000-340887
出願日： 1999年05月26日
公開日（公表日）： 2000年12月08日
要約：

【要約】【課題】高い歩留まりで自励発振を得ることのできる半導体レーザおよびその製造方法を提供する。【解決手段】活性層4上の第1のp型クラッド層5の上に、エッチング停止層6を介して電流通路をストライプ状に制限する第2のp型クラッド層7が設けられたDH構造の自励発振型半導体レーザにおいて、第2のp型クラッド層の下層部7aを第1のストライプ幅W1の第1のリッジストライプ形状とし、第2のクラッド層7の上層部7bを第1のストライプ幅W1より狭い第2のストライプ幅W2の第2のストライプ形状とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型の第1のクラッド層と、上記第1のクラッド層上の活性層と、上記活性層上の第2導電型の第2のクラッド層とを有し、上記第2のクラッド層上に電流通路をストライプ状に制限する第2導電型の第3のクラッド層が設けられた半導体レーザにおいて、上記第3のクラッド層は、上記第2のクラッド層側の下層部が第1のストライプ幅の第1のストライプ形状を有すると共に、上層部が上記第1のストライプ幅より狭い第2のストライプ幅の第2のストライプ形状を有することを特徴とする半導体レーザ。

Fターム (9件)：

5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA83 , 5F073BA06 , 5F073CA05 , 5F073CA14 , 5F073EA01 , 5F073EA27

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