特許
J-GLOBAL ID：200903050972589619
シリコン系薄膜光電変換モジュール及びその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238710
公開番号（公開出願番号）：特開2001-068714
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2001年03月16日
要約：
【要約】【課題】高い歩留まり及び十分な長期信頼性を実現することが可能なシリコン系薄膜光電変換モジュール及びその製造方法を提供すること。【解決手段】本発明のシリコン系薄膜光電変換モジュール1は、長手方向の長さが20cm以上の基板2及び該基板2上に順次形成された第1の電極層と膜厚0.7μm以上の非単結晶シリコン系薄膜光電変換ユニットと第2の電極層とをそれぞれ分割してなる複数の薄膜光電変換セル10を具備し、前記第1の電極層と前記非単結晶シリコン系薄膜光電変換ユニットと前記第2の電極層とは第1の方向に延びた溝部11によりそれぞれ分割され、前記非単結晶シリコン系薄膜光電変換ユニットに、その膜厚の50%以上の深さを有する溝部12が前記第1の方向と45°〜90°の角度をなす第2の方向に平行に設けられたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
長手方向の長さが20cm以上の基板及び該基板上に順次形成された第1の電極層と膜厚0.7μm以上の非単結晶シリコン系薄膜光電変換ユニットと第2の電極層とをそれぞれ分割してなる複数の薄膜光電変換セルを具備し、前記第1の電極層と前記非単結晶シリコン系薄膜光電変換ユニットと前記第2の電極層とは第1の方向に延びた溝部によりそれぞれ分割され、前記非単結晶シリコン系薄膜光電変換ユニットに、その膜厚の50%以上の深さを有する溝部が前記第1の方向と45°〜90°の角度をなす第2の方向に平行に設けられたことを特徴とするシリコン系薄膜光電変換モジュール。
Fターム (15件)：
5F051AA03
, 5F051AA04
, 5F051AA05
, 5F051BA17
, 5F051BA18
, 5F051CA15
, 5F051DA17
, 5F051EA02
, 5F051EA09
, 5F051EA10
, 5F051EA11
, 5F051EA16
, 5F051GA03
, 5F051JA04
, 5F051JA05
