特許
J-GLOBAL ID：200903050973394552
光電変換素子及び光電変換装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-033833
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293591
出願日： 1996年02月21日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【課題】 増幅部を動作させることなくリセット動作を行なうことができる光電変換素子及び高感度(高S/N比)で消費電力の少ない光電変換装置を得ることを目的とする。【解決手段】 光電変換素子は、入射光に応じた電荷を生成して蓄積するフォトダイオード1と、制御領域に受け取った電荷に応じた信号を出力する接合型電界効果トランジスタ(JFET)2と、フォトダイオード1によって生成・蓄積された電荷をJFET2の制御領域へ転送するための転送ゲート3と、JFET2の制御領域へ転送された電荷を排出するためのリセットドレイン4と、リセットドレイン4を制御するためのリセットゲート5とを備えている。また、転送ゲート配線3a、リセットゲート配線5a、及びソース配線16aも、図に示すように形成されている。
請求項（抜粋）：
入射光に応じた電荷を生成して蓄積する光電変換部と、制御領域を有しこの制御領域で受け取った上記光電変換部からの電荷に応じた信号出力を生じる増幅部と、上記光電変換部で生成、蓄積された電荷を上記増幅部の制御領域に転送する転送制御部と、上記増幅部の制御領域に転送された電荷を排出するリセット用電荷排出手段と、このリセット用電荷排出手段を制御するためのリセット用制御手段とを備えたことを特徴とする光電変換素子。
IPC (3件)：
H01L 27/146
, H01L 27/14
, H04N 5/335
H01L 27/14 A
, H04N 5/335 Z
, H01L 27/14 D
