特許
J-GLOBAL ID：200903050978446232
エピタキシャル層の形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 国則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119797
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291134
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、高濃度エピタキシャル層と低濃度エピタキシャル層とよりなるエピタキシャル層の形成方法において、濃度の異なるエピタキシャル層の界面における不純物の濃度勾配を改善し、急峻な濃度勾配を得るとともに、低濃度エピタキシャル層の実行的な厚さを厚くする。【構成】 不純物を高濃度に含む反応ガスを用いた気相エピタキシャル成長によって、高濃度エピタキシャル層13を形成した後、不純物を含まない反応ガスを用いた気相エピタキシャル成長によって、不純物を含まないエピタキシャル層14を形成する。または不純物を僅かに含む反応ガスを用いた気相エピタキシャル成長によって、不純物を僅かに含むエピタキシャル層(図示せず)を形成する。その後不純物を低濃度に含む反応ガスを用いた気相エピタキシャル成長によって、低濃度エピタキシャル層15を形成し、基板11上にエピタキシャル層12を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に不純物濃度が異なる複数層のエピタキシャル層を形成するエピタキシャル層の形成方法であって、不純物を高濃度に含む反応ガスを用いた気相エピタキシャル成長法によって、前記基板に含まれる不純物濃度よりも高い濃度の不純物を含む高濃度エピタキシャル層を当該基板上に形成する第1の工程と、不純物を含まない反応ガスを用いた気相エピタキシャル成長法によって、前記高濃度エピタキシャル層上に、不純物を含まないエピタキシャル層を形成する第2の工程と、不純物を低濃度に含む反応ガスを用いた気相エピタキシャル成長法によって、前記不純物を含まないエピタキシャル層上に、前記高濃度エピタキシャル層に含まれる不純物濃度よりも低い濃度の不純物を含む低濃度エピタキシャル層を形成する第3の工程とを行うことを特徴とするエピタキシャル層の形成方法。
IPC (2件)：
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