特許
J-GLOBAL ID：200903050983860489
半導体ウェハおよび半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-058997
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250799
出願日： 2000年03月03日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：
【要約】【課題】 スリップによる歩留り低下を防止する。【解決手段】 スリップ4がダイシングライン5内を延在するようにダイシングライン5をスリップ4と重ねて配置する。
請求項（抜粋）：
結晶の面方位を認識するためのノッチを有する半導体ウェハにおいて、前記ノッチから延びる欠陥と重なるように前記欠陥に沿ってダイシングラインを配置したことを特徴とする、半導体ウェハ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/02 B
, H01L 21/78 L
