特許

J-GLOBAL ID：200903050986436106

薄膜コンデンサ及びその製造方法

発明者： 藤井 映志 ,  友澤 淳 ,  藤井 覚 ,  高山 良一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-050393
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333772
出願日： 1994年03月22日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】誘電体薄膜層が (100)面に配向したペロブスカイト型誘電体薄膜層4であり、それより下のいずれかの部分に (100)に配向されたNaCl型酸化物薄膜層3または(100) に配向されたスピネル型酸化物薄膜層を形成することにより、成膜初期から高い配向性を示す薄膜コンデンサを安価に得ることができ、小型化・大容量化を可能とする薄膜コンデンサを提供する。【構成】Si基板1上に金属電極としての白金膜2を設け、その上に(100) 面に配向したNaCl型酸化物薄膜としてのNiO 膜3を設け、その上に (100)面に配向したペロブスカイト型誘電体薄膜としてのBa0.7Sr0.3TiO3膜4を設け、さらに金属電極としての白金膜5を設ける。下地膜であるNaCl型酸化物薄膜やスピネル型酸化物薄膜の成膜方法としてプラズマCVD を用いることにより、下地基板の種類にかかわらず (100)配向膜が得られ、低コスト化ができる。

請求項（抜粋）：

電極としての金属基板または非電極基板上に直接または間接的に下部電極が形成され、その上に直接または間接的に誘電体薄膜層が形成され、その上に直接または間接的に上部電極が形成されている薄膜コンデンサであって、前記誘電体薄膜層が、(100)面に配向したペロブスカイト型誘電体薄膜層であり、かつ前記誘電体薄膜層より下のいずれかの部分に、(100)に配向されたNaCl型酸化物薄膜層及び(100)に配向されたスピネル型酸化物薄膜層から選ばれる少なくとも一つの層を有することを特徴とする薄膜コンデンサ。

IPC (3件)：

H01G 4/06 102 ,  H01B 3/12 303 ,  H01G 4/12 400