特許

J-GLOBAL ID：200903050986442629

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 中沢 宏行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-119805
公開番号（公開出願番号）：特開平5-291506
出願日： 1992年04月13日
公開日（公表日）： 1993年11月05日
要約：

【要約】【目的】 熱処理工程によっても損傷することのない構造の抵抗層を備えた半導体集積回路装置およびその製造方法を提供する。【構成】 本発明は、集積回路素子が形成されている半導体基板1上に形成された層間絶縁膜5に抵抗層4を配置していることに特徴がある。抵抗層4は、メルト処理を行って平坦化された層間絶縁膜5が形成された後、そして、不純物拡散領域3等が形成された後の高温処理工程が終わってから形成されるので、その損傷は少ない。

請求項（抜粋）：

素子領域に集積回路素子が形成され、フィ-ルド酸化膜をその表面に有する半導体基板と、前記素子領域及びフィ-ルド酸化膜上に形成された層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜の所定の領域に形成された抵抗層と、前記抵抗層を被覆し、保護する保護絶縁膜と、前記抵抗層と前記集積回路素子とを接続する配線とを備えていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (4件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/266 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/08 331

FI (3件)：

H01L 21/265 M ,  H01L 27/06 321 C ,  H01L 27/06 321 F