特許

J-GLOBAL ID：200903050990918042

露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法

発明者： 川久保 昌治
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 立石 篤司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248574
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059807
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 高精度な露光を行なうことができる露光方法を提供する。【解決手段】 マスクのパターンを投影光学系を介して基板上に転写する際に、先ず、所定のタイミングで、環境条件と投影光学系の所定の結像特性とを計測し、該計測結果に基づいて結像特性の環境条件による変化を補正するための環境補正係数を算出する(ステップ409)。ここでは、ある程度、長期間(例えば、半年間)に亘る環境条件と投影光学系の所定の結像特性との計測結果に基づいて環境補正係数を算出することにより、精度良く環境補正係数を得ることができる。そして、この環境補正係数を考慮して投影光学系の結像特性を調整し、その調整後の投影光学系を用いてパターンの転写を行なう(ステップ421)。ここでは、最適な環境補正係数を考慮して結像特性が調整された投影光学系を介してパターンの転写が行なわれるために、環境変化に起因する転写誤差を精度良く補正することができる。

請求項（抜粋）：

マスクに形成されたパターンを投影光学系を介して基板上に転写する露光方法であって、所定のタイミングで、環境条件と前記投影光学系の所定の結像特性とを計測し、該計測結果に基づいて前記結像特性の前記環境条件による変化を補正するための環境補正係数を算出する第1工程と;前記環境補正係数を考慮して前記投影光学系の結像特性を調整し、その調整後の投影光学系を用いて前記パターンの転写を行なう第2工程と;を含む露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/207

FI (4件)：

G03F 7/207 H ,  H01L 21/30 516 A ,  H01L 21/30 516 E ,  H01L 21/30 516 F

Fターム (6件)：

5F046AA22 ,  5F046DA12 ,  5F046DB02 ,  5F046DB03 ,  5F046DB10 ,  5F046DB11