電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梅田勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-174048
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021452
出願日： 1992年07月01日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【構成】シリコン基板1にシリコン酸化膜2及びシリコン窒化膜3を形成した後、活性領域となる領域の周囲に溝部を設ける。次にロコス酸化により、溝部に素子分離領域6を形成し、エッチングにより、素子分離領域6の上部を除去し、シリコン基板1を凸状に露出させる。その後、ゲート酸化膜8、ゲート電極部9及びソース/ドレイン領域10を形成する。【効果】同じ2次元的スペースにおいて、従来より大きいゲート幅を得ることができる。

請求項（抜粋）：

活性領域の、ソース/ドレイン方向に垂直方向の断面が凸状であり、且つ、ゲート電極及びソース/ドレイン層が前記凸状活性領域の上面及び側面に設けられていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

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