特許

J-GLOBAL ID：200903050994526734

半導体装置

発明者： 小倉 常雄 ,  大村 一郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝ディスクリートテクノロジー株式会社
代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-195255
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013058
出願日： 2005年07月04日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：

【課題】 絶縁耐圧が高く、オン抵抗を低減した炭化珪素半導体装置を提供する。【解決手段】 第1導電型の炭化珪素からなる第1半導体層と、前記第1半導体層の上に選択的に設けられた第2導電型の炭化珪素からなる第2半導体層と、前記第1半導体層の上において前記第2半導体層と隣接して選択的に設けられた第1導電型の炭化珪素からなる第3半導体層と、前記第2半導体層の上に選択的に設けられた第1導電型の炭化珪素からなる主電極層と、前記第2半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、を備え、前記ゲート電極にオン電圧を印加した時に、前記主電極層と前記第1半導体層との間に前記第3半導体層を介した電流経路が形成されることを特徴とする半導体装置を提供する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の炭化珪素からなる第1半導体層と、 前記第1半導体層の上に選択的に設けられた第2導電型の炭化珪素からなる第2半導体層と、 前記第1半導体層の上において前記第2半導体層と隣接して選択的に設けられた第1導電型の炭化珪素からなる第3半導体層と、 前記第2半導体層の上に選択的に設けられた第1導電型の炭化珪素からなる主電極層と、 前記第2半導体層の上に設けられたゲート絶縁膜と、 前記ゲート酸化膜上に形成されたゲート電極と、 を備え、 前記ゲート電極にオン電圧を印加した時に、前記主電極層と前記第1半導体層との間に前記第3半導体層を介した電流経路が形成されることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/12 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (5件)：

H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652D ,  H01L29/78 652E ,  H01L29/78 653A ,  H01L29/78 658A

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-120688   出願人：株式会社デンソー

審査官引用 (4件)

• 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-267531   出願人：株式会社デンソー
• 半導体素子およびその形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-299647   出願人：松下電器産業株式会社
• 電界効果トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-135458   出願人：日産自動車株式会社
• 縦型絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-324734   出願人：日本電装株式会社