半導体装置

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西藤征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-192589
公開番号（公開出願番号）：特開平9-012680
出願日： 1988年09月29日
公開日（公表日）： 1997年01月14日
要約：

【要約】【課題】耐熱性,耐湿性および低応力性に優れた半導体装置を提供する。【解決手段】下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止することにより得られる半導体装置である。(A)下記の一般式(1)で表される4,4′-ビス(2,3-エポキシプロポキシ)-3,3′,5,5′-テトラメチルビフェニルが10重量%以上含有されているエポキシ樹脂。【化1】(B)ノボラック型フェノール樹脂。(C)下記の一般式(2)で表されるシリコーン化合物。【化2】

請求項（抜粋）：

下記の(A)〜(C)成分を含有するエポキシ樹脂組成物を用いて半導体素子を封止してなる半導体装置。(A)下記の一般式(1)で表される4,4′-ビス(2,3-エポキシプロポキシ)-3,3′,5,5′-テトラメチルビフェニルが10重量%以上含有されているエポキシ樹脂。【化1】(B)ノボラック型フェノール樹脂。(C)下記の一般式(2)で表されるシリコーン化合物。【化2】

IPC (5件)：

C08G 59/24 NHQ , C08G 59/40 NKB , C08G 59/62 NJS , H01L 23/29 , H01L 23/31

FI (4件)：

C08G 59/24 NHQ , C08G 59/40 NKB , C08G 59/62 NJS , H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭60-036527
特開昭62-296449
特開昭61-098726

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