特許
J-GLOBAL ID：200903051018231084
歪量子井戸型半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-060168
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267784
出願日： 1992年03月17日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 歪を含んだ量子井戸構造の活性層を有する歪量子井戸型半導体レーザに関し、HH帯とLH帯とを充分分離させて閾値電流密度を低下させた歪量子井戸型半導体レーザを提供することを目的とする。【構成】 井戸層と障壁層からなる量子井戸構造の活性層であって、井戸層の価電子帯頂上が障壁層価電子帯頂上より電子エネルギ的に高い位置にある材料の組み合わせからなる活性層を有するダブルヘテロ接合型の半導体レーザにおいて、当該量子井戸構造の井戸層および障壁層を共に基板結晶およびクラッド層より格子定数の大きな半導体結晶または小さな半導体結晶で形成し、以って当該量子井戸構造全体にヘテロ接合面方向の圧縮歪または引張り歪を付与したことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
井戸層と障壁層からなる量子井戸構造の活性層であって、井戸層の価電子帯頂上が障壁層価電子帯頂上より電子エネルギ的に高い位置にある材料の組み合わせからなる活性層を有するダブルヘテロ接合型の半導体レーザにおいて、当該量子井戸構造の井戸層および障壁層を共に基板結晶およびクラッド層より格子定数の大きな半導体結晶または小さな半導体結晶で形成し、以って当該量子井戸構造全体にヘテロ接合面方向の圧縮歪または引張り歪を付与したことを特徴とする歪量子井戸型半導体レーザ。
IPC (2件)：
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