特許

J-GLOBAL ID：200903051022972773

半導体装置の製造方法

発明者： 塚本 弘範
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 志賀 富士弥 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-215325
公開番号（公開出願番号）：特開平6-069149
出願日： 1992年08月13日
公開日（公表日）： 1994年03月11日
要約：

【要約】【目的】 接合リーク電流を低減し、浅い接合が形成できる半導体装置を得る。【構成】 ソース領域21A,ドレイン領域21Bをイオン打ち込みにより形成した後、低温アニール(600°C)を1時間行ない、次に、パルスレーザ(XeCl)を照射エネルギー700mJ/cm2、パルス幅44nsecで照射する。これにより、接合近くの点欠陥を低減してリーク電流を低減させると共に、浅い接合を維持して活性化が行なえる。

請求項（抜粋）：

半導体基板にイオン打込み深さの浅いイオン打込み層を形成する工程と、前記半導体基板全体を低温アニールする工程と、前記半導体基板表面にパルスレーザを照射して前記イオン打込み層のイオンを活性化する工程とを備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/26 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (4件)：

H01L 21/265 B ,  H01L 21/265 L ,  H01L 29/78 301 L ,  H01L 29/78 301 P

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-163822
  
• 特開昭62-140470