導波路形光デバイスとその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-233664
公開番号（公開出願番号）：特開平11-072759
出願日： 1997年08月29日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：

【要約】【課題】光伝搬部および光機能部を有する導波路形光デバイスにおいて、光機能部の半波長電圧Vπを低く、かつ光伝搬部の伝搬損失を小さくする。【解決手段】光伝搬部と光機能部とを有する導波路形光デバイスにおいて、光機能部のみのコア直上のノンドープ層(電気的絶縁層)の厚みを、光機能部が電圧形の場合はコア層の内部電界を高めて動作電圧を低くするに充分なだけ、電流形の場合は電流注入の効率を高めるのに充分なだけ薄くし、一方、光伝搬部のコア直上のノンドープ層の厚みは光導波路を構成する上部クラッドの導電性媒質の自由電子吸収に起因する伝搬損失を低減するに充分なだけ厚くする。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に形成された少なくともコアと上部クラッドとを具備する光導波路によって構成される光伝搬部と光機能部からなり、前記光伝搬部の前記上部クラッドの少なくとも一部は電気的絶縁層であり前記光機能部の前記上部クラッドの少なくとも一部に導電性媒質がドーピングされた導波路形光機能デバイスにおいて、前記光機能部のコアの直上の電気的絶縁層の厚みが零または前記光伝搬部のコアの直上の電気的絶縁層の厚みより薄いことを特徴とする導波路形光デバイス。

IPC (3件)：

G02F 1/025 , G02B 6/122 , G02B 6/13

FI (3件)：

G02F 1/025 , G02B 6/12 A , G02B 6/12 M

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