特許
J-GLOBAL ID:200903051034057230
電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
小栗 昌平
, 本多 弘徳
, 市川 利光
, 高松 猛
, 濱田 百合子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-070239
公開番号(公開出願番号):特開2005-258124
出願日: 2004年03月12日
公開日(公表日): 2005年09月22日
要約:
【課題】感度、パターン倒れ、パターン形状、ラインエッジラフネス、溶解コントラストが改善された電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【解決手段】(A)活性光線又は放射線の照射により特定構造のスルホン酸を発生する化合物及び(B)特定構造の繰り返し単位を有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂含有する電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。【選択図】なし
請求項(抜粋):
(A)活性光線又は放射線の照射により、下記一般式(X)で表されるスルホン酸を発生する化合物及び
(B)下記一般式(Y1)で表される繰り返し単位と、一般式(Y2)で表される繰り返し単位及び一般式(Y3)で表される繰り返し単位の少なくともいずれかの繰り返し単位とを有する、酸の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する樹脂
を含有することを特徴とする電子線、X線又はEUV光用ポジ型レジスト組成物。
IPC (4件):
G03F7/004
, C08F12/22
, G03F7/039
, H01L21/027
FI (4件):
G03F7/004 503A
, C08F12/22
, G03F7/039 601
, H01L21/30 502R
Fターム (35件):
2H025AA01
, 2H025AA03
, 2H025AA04
, 2H025AB16
, 2H025AC04
, 2H025AC05
, 2H025AC06
, 2H025AD03
, 2H025BE07
, 2H025BE10
, 2H025BG00
, 2H025CB14
, 2H025CB16
, 2H025CB17
, 2H025CB41
, 2H025CB43
, 2H025CB45
, 2H025FA17
, 4J100AB07P
, 4J100AB07Q
, 4J100AC13P
, 4J100AL08R
, 4J100AL51R
, 4J100BA01Q
, 4J100BA03P
, 4J100BA15R
, 4J100BA20R
, 4J100BA40R
, 4J100BB00R
, 4J100BC43P
, 4J100BD12Q
, 4J100BD12R
, 4J100CA04
, 4J100CA05
, 4J100JA38
引用特許:
前のページに戻る