特許
J-GLOBAL ID：200903051034255139
半導体圧力検出装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192291
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036992
出願日： 1991年07月31日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】この発明は、検出出力電圧の経時安定性が確保されるようにした、特にフェイスダウン構造の半導体圧力検出装置を提供することを目的とする。【構成】ダイヤフラム33が形成されたシリコンチップ31の表面に、シリコン酸化膜34を介してシリコン薄膜35を堆積し、このシリコン薄膜35をスペーサとしてシリコンチップ31の両面にガラス台座36、38を接合する。シリコンチップ31の裏面には、ガラス台座38によって封じられるようにして副圧力基準室37を掘り込み形成すると共に、前記シリコン薄膜35をエッチング除去し、ダイヤフラム33の領域に対応して圧力基準室39を形成する。そして、この圧力基準室39と副圧力基準室37とは、連通路41、連通室40および開口42を介して連通し、容積の拡大された共通の1つの部屋が形成されるようにしている。
請求項（抜粋）：
ダイヤフラムが形成されたシリコンチップと、このシリコンチップの表面に堆積形成され、少なくとも前記ダイヤフラムに対応する領域で圧力基準室とされる空間部が形成されるようにしたシリコン薄膜によるスペーサ部材と、このスペーサ部材を介して前記シリコンチップに接合した台座部材と、前記シリコンチップに、このシリコンチップを掘り込むことによって形成された副圧力基準室と、この副圧力基準室と前記ダイヤフラムの領域に対応して形成された空間部とを連通する通路とを具備し、この通路を介して前記空間部による圧力基準室と前記副圧力基準室が1つの部屋を構成するようにしたことを特徴とする半導体圧力検出装置。
IPC (2件)：
H01L 29/84
, G01L 9/04 101
