特許

J-GLOBAL ID：200903051038916261

酸化シリコン層の形成方法

発明者： 佐藤 泰久
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-062527
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267281
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：

【要約】【目的】 シリコン集積回路等で用いられる高品位の酸化シリコン薄膜の形成方法に関し、比較的低温で形成でき、膜品位も高い、酸化シリコン薄膜の形成方法を提供することを目的とする。【構成】 基板の表面を清浄化する清浄化工程と、前記清浄化された基板表面に酸素を供給し、酸素で基板表面を覆う酸素層形成工程と、前記酸素で覆われた基板表面上にシリコンの分子線を照射し、単原子層以下のシリコンを堆積するシリコン堆積工程と、前記シリコンを堆積した基板表面に酸素を吸着させ、酸素で基板表面を覆う酸素吸着工程と、前記シリコン堆積工程と前記酸素吸着工程とを繰り返し行なう積層工程とを含む。

請求項（抜粋）：

基板の表面を清浄化する清浄化工程と、前記清浄化された基板表面に酸素を供給し、酸素で基板表面を覆う酸素層形成工程と、前記酸素で覆われた基板表面上にシリコンの分子線を照射し、単原子層以下のシリコンを堆積するシリコン堆積工程と、前記シリコンを堆積した基板表面に酸素を吸着させ、酸素で基板表面を覆う酸素吸着工程と、前記シリコン堆積工程と前記酸素吸着工程とを繰り返し行なう積層工程とを含む酸化シリコン層の形成方法。