特許

J-GLOBAL ID：200903051047577666

有機金属気相成長装置

発明者： 山田 羊治
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-255145
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112132
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：

【要約】【目的】反応生成物粉塵による膜欠陥の発生を防止できる装置、およびドーピング元素が均一に十分にドーピングされた膜を良好に成膜できる装置を提供する。【構成】水平方向に搬送される基板1の下面(成膜面)に対して有機金属ガス供給ノズル2が、その軸と基板1とのなす角度α<SB>1 </SB>が0°<α<SB>1 </SB><90°となり、かつ、ノズルの開口部21の基板1に対向していない縁部が対向している縁部を通る基板1に垂直な面よりも引っ込んでいるように配置された装置とする。ノズルに粉塵溜まり部22を設けるとより好適である。また、ノズル軸と基板とのなす角度がそれぞれ異なるノズルを複数個設け、基板1の同一箇所に同時に複数種のガスを供給できる装置とすると均一なドーピング膜を得ることが可能となる。

請求項（抜粋）：

反応性ガスの満たされた反応室内で水平方向に搬送される基板の下面にガス供給ノズルで有機金属ガスを供給してこの基板の下面に機能性膜を成膜する有機金属気相成長装置において、ガス供給ノズルの軸と基板の下面とのなす角度α<SB>1 </SB>が0°<α<SB>1 </SB><90°であり、かつ、ガス供給ノズルのガス吹き出し口の基板に対向していない縁部が基板に対向している縁部を通る基板に垂直な面よりも引っ込んでいることを特徴とする有機金属気相成長装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  C30B 25/02 ,  C30B 25/14