特許

J-GLOBAL ID：200903051047971232

ZnO系焼結体

発明者： 高梨 昌二
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 朝雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-110363
公開番号（公開出願番号）：特開平11-302836
出願日： 1998年04月21日
公開日（公表日）： 1999年11月02日
要約：

【要約】【課題】 DCスパッタリング中の異常放電の発生が長期にわたって少なく、特性のすぐれた透明導電性膜を効率よく安価に成膜できる。【解決手段】 Inを0.3〜5原子%含有し、実質的に亜鉛とインジウムの複合酸化物からなり、焼結密度が4.8g/cm3 以上であり、かつ、複合酸化物の結晶平均粒径が3〜20μmである。

請求項（抜粋）：

Inを0.3〜5原子%含有し、実質的に亜鉛とインジウムの複合酸化物からなることを特徴とするZnO系焼結体。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  C01G 9/02 ,  C04B 35/453 ,  C23C 14/08

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  C01G 9/02 A ,  C23C 14/08 C ,  C04B 35/00 P