特許
J-GLOBAL ID：200903051050954179
炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
阿仁屋 節雄
, 油井 透
, 清野 仁
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182381
公開番号（公開出願番号）：特開2004-343133
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2004年12月02日
要約：
【課題】 不純物源や不純物濃度に対する制限もしくは不純物添加範囲の深さ制限等を受けること無く、高い制御性のもとで不純物添加をおこないつつ、十分な生産性のもとで製造を可能とする炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置を提供する。【解決手段】 CVD装置10内のプレート3上に単結晶珪素基板4を設置し、加熱手段5によって1200°Cに加熱し、成膜室1内をH2ガス雰囲気にし、次いで、SiH2Cl2ガスを5秒間供給し(珪素層の形成)、次に、SiH2Cl2ガスを止めてN2ガスを5秒間供給し(珪素層へのN(ドナー)添加)、次いで、N2ガスを止めてC2H2ガスを5秒間供給する(N添加された珪素層の炭化)という、工程からなる単位工程を2000回繰り返して、基板4(珪素基板)上にエピタキシャル成長によって立方晶炭化珪素膜を形成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基体上に気相から薄膜を析出させて炭化珪素を形成する炭化珪素製造方法において、
前記基体上に珪素層を形成する珪素層形成工程と、
前記珪素層中にN,B,Al,Ga,In,P,As,Sb,Se,Zn,O,Au,
V,Er,Ge,Feから選ばれる少なくとも1種類の元素を不純物として添加させる不
純物添加工程と、
前記不純物が添加された珪素層を炭化して不純物が添加された炭化珪素層を形成する炭
化工程と、
を有することを特徴とする炭化珪素の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (12件)：
5F045AA15
, 5F045AA20
, 5F045AB06
, 5F045AC01
, 5F045AC05
, 5F045AC15
, 5F045AC19
, 5F045AF03
, 5F045BB04
, 5F045DP15
, 5F045DQ05
, 5F045EE19
