特許
J-GLOBAL ID：200903051056263968
磁気光学ガーネットの製造法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-149291
公開番号（公開出願番号）：特開平10-001395
出願日： 1996年06月11日
公開日（公表日）： 1998年01月06日
要約：
【要約】【目的】 液相エピタキシャル法による 200μm以上の厚さのビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜育成を繰り返し行うに際し、製膜中の基板の割れを抑制する。【構成】 液相エピタキシャル法により、非磁性ガーネット単結晶基板の片面に厚さ 200μm以上のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を育成した後、融液温度を 950°C以上に上昇させて融液を攪拌し、少なくとも10時間以上950°C以上の温度を保ったまま保持し、再度非磁性ガーネット単結晶基板の片面に厚さ 200μm以上のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を育成する。【効果】 製膜中に基板が割れることなく、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜が一つの融液から繰り返し得られた。
請求項（抜粋）：
液相エピタキシャル法により、非磁性ガーネット単結晶基板の片面に厚さ 200μm以上のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を同一の融液を用いて繰り返し育成するに際し、融液から該ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜に取り込まれた該ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜成分を融液に補充し、その後融液を 950°C以上に昇温してから攪拌し、さらに融液温度を 950°C以上に保ったまま、この状態を少なくとも10時間以上保った後に、再度非磁性ガーネット単結晶基板の片面に厚さ 200μm以上のビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶厚膜を育成することを特徴とする磁気光学ガーネットの製造法。
IPC (3件)：
C30B 29/28
, C30B 19/00
, G02F 1/09 501
C30B 29/28
, C30B 19/00 Z
, G02F 1/09 501
