特許
J-GLOBAL ID：200903051059072047
太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-102970
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232230
出願日： 1999年04月09日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
要約：
【要約】【課題】 KCN処理が終了していることを目視で確実に且つ容易に判断し得る太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 ガラス基板10の一面側に形成したモリブデン層12から成る電極膜上に、銅層13と、銅層13の周縁部13aの表面が露出するように、銅層13の表面を覆うインジウム層15とから成る金属膜を形成した後、前記金属膜を硫化水素雰囲気中で加熱処理して、前記金属膜のうち、銅層13がインジウム層15によって覆われている成る部分をp形半導体層14に形成し、次いで、p形半導体層14及び周縁部13aの各表面をKCN溶液によって洗浄するKCN処理を施した後、p形半導体層14上にn形半導体層16を形成してpn接合の太陽電池を製造することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
基板の一面側に形成した電極膜上に、銅層又は銅-ガリウム合金層と、前記銅層又は銅-ガリウム合金層の周縁部の表面が露出するように、前記銅層又は銅-ガリウム合金層の表面を覆うインジウム層とから成る金属膜を形成した後、前記金属膜を硫化水素雰囲気又はセレン化水素雰囲気中で加熱処理して、前記金属膜のうち、前記銅層又は銅-ガリウム合金層がインジウム層によって覆われて成る部分をp形半導体層に形成し、次いで、前記p形半導体層及び前記銅層又は銅-ガリウム合金層の周縁部の各表面をKCN溶液によって洗浄するKCN処理を施した後、前記p形半導体層上にn形半導体層を形成してpn接合の太陽電池を製造することを特徴とする太陽電池の製造方法。
Fターム (6件)：
5F051AA10
, 5F051BA17
, 5F051CB14
, 5F051CB15
, 5F051DA03
, 5F051GA03
