特許
J-GLOBAL ID:200903051062712723

半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小島 隆司 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-298759
公開番号(公開出願番号):特開2003-105064
出願日: 2001年09月28日
公開日(公表日): 2003年04月09日
要約:
【要約】【解決手段】 配線回路基板の配線電極に半田を介して半導体素子の電極部を当接し、半田を加熱溶融して基板に半導体素子を接合し、次いでこの半導体素子の搭載された基板を金型キャビティー部にセットし、この半導体素子を上記基板と半導体素子との空隙部を含めて封止することにより製造される半導体装置において、上記半導体素子を封止する半導体封止用エポキシ樹脂組成物が、(a)エポキシ樹脂、(b)フェノール樹脂、(c)平均粒径1〜15μm、最大粒径32μm以下、ロジン・ラムラーのN値1.0〜1.2、真円度0.70以上の無機質充填剤、(d)平均粒径0.1〜10μmのジシアンジアミドとフェノール樹脂とを重量比1:1〜1:10で溶融混合した混合物を含有してなる半導体封止用エポキシ樹脂組成物。【効果】 本発明によれば、耐湿性、保存性に優れ、信頼性の高い半導体装置が得られる。
請求項(抜粋):
配線回路基板の配線電極に半田を介して半導体素子の電極部を当接し、半田を加熱溶融して基板に半導体素子を接合し、次いでこの半導体素子の搭載された基板を金型キャビティー部にセットし、この半導体素子を上記基板と半導体素子との空隙部を含めて封止することにより製造される半導体装置において、上記半導体素子を封止する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、そのエポキシ樹脂組成物が、(a)エポキシ樹脂、(b)フェノール樹脂、(c)平均粒径が1〜15μm、最大粒径が32μm以下、ロジン・ラムラーのN値が1.0〜1.2、及び真円度が0.70以上である無機質充填剤:(a),(b)成分の合計100重量部に対して100〜1,000重量部、(d)硬化触媒として、平均粒径が0.1〜10μmであるジシアンジアミドとフェノール樹脂とを重量比1:1〜1:10の割合で溶融混合した混合物:ジシアンジアミドの配合量として、(a),(b)成分の合計100重量部に対して0.1〜5重量部を含有してなることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
IPC (5件):
C08G 59/62 ,  C08K 7/16 ,  C08L 63/00 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31
FI (4件):
C08G 59/62 ,  C08K 7/16 ,  C08L 63/00 C ,  H01L 23/30 R
Fターム (58件):
4J002CC032 ,  4J002CC042 ,  4J002CC052 ,  4J002CC062 ,  4J002CC122 ,  4J002CD001 ,  4J002CD031 ,  4J002CD041 ,  4J002CD051 ,  4J002CD061 ,  4J002CD071 ,  4J002DE076 ,  4J002DE146 ,  4J002DJ006 ,  4J002DK006 ,  4J002ET007 ,  4J002EU117 ,  4J002EU187 ,  4J002EW017 ,  4J002EW177 ,  4J002FB086 ,  4J002FB096 ,  4J002FD016 ,  4J002FD090 ,  4J002FD130 ,  4J002FD142 ,  4J002FD147 ,  4J002FD160 ,  4J002GQ00 ,  4J002GQ05 ,  4J036AF03 ,  4J036AJ14 ,  4J036BA02 ,  4J036DC31 ,  4J036DC40 ,  4J036DC45 ,  4J036FA03 ,  4J036FA04 ,  4J036FA05 ,  4J036FB03 ,  4J036FB05 ,  4J036FB07 ,  4J036FB08 ,  4J036FB16 ,  4J036GA04 ,  4J036JA07 ,  4J036KA07 ,  4M109AA01 ,  4M109BA04 ,  4M109CA21 ,  4M109EA02 ,  4M109EA03 ,  4M109EB03 ,  4M109EB04 ,  4M109EB12 ,  4M109EC01 ,  4M109EC14 ,  4M109EC20

前のページに戻る