特許
J-GLOBAL ID：200903051069052931

光半導体素子収納用パッケージ

発明者：
小林 洋二

小林 洋二 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215006
公開番号（公開出願番号）：特開2002-033407
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2002年01月31日
要約：
【要約】【課題】 光半導体素子収納用パッケージにおいて、透光性板材と金属枠体との接合強度が弱く、気密信頼性が低い。【解決手段】 略中央部に光半導体素子9の搭載するための凹部を有する絶縁基体1と、絶縁基体1の上面に接合される、開口11に透光性板材6がエポキシ樹脂系接着剤7を介して接合された金属枠体4とから成る光半導体素子収納用パッケージであって、透光性板材6が接合される金属枠体4の表面に原子間力顕微鏡で測定した算術平均粗さRaが2〜25nmのSiO2層5を設けたことを特徴とする光半導体素子収納用パッケージである。SiO2層5とエポキシ樹脂系接着剤7との間の水素結合により良好な接合強度が得られるとともに、SiO2層5表面の凹凸が良好な投錨効果を得るのに好適に働き、金属枠体4と透光性板材6との接合強度がより強固なものとなる。
請求項（抜粋）：
略中央部に光半導体素子を搭載するための凹部を有する絶縁基体と、該絶縁基体の上面に接合される、開口に透光性板材がエポキシ樹脂系接着剤を介して接合された金属枠体とから成る光半導体素子収納用パッケージであって、前記透光性板材が接合される前記金属枠体の表面に原子間力顕微鏡で測定した算術平均粗さRaが2〜25nmのSiO2層を設けたことを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
IPC (3件)：
H01L 23/02 ,  H01L 23/10 ,  H01L 31/02
FI (4件)：
H01L 23/02 F ,  H01L 23/02 Z ,  H01L 23/10 B ,  H01L 31/02 B
Fターム (5件)：
5F088BA11 ,  5F088BA13 ,  5F088JA03 ,  5F088JA07 ,  5F088JA20
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 特開平4-309253
  • 特開昭62-020358
  • 特開昭58-207656
審査官引用 (3件)
  • 特開平4-309253
  • 特開昭62-020358
  • 特開昭58-207656

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