特許

J-GLOBAL ID：200903051083438982

強誘電体キャパシタの製造方法

発明者： 村上 洋介
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 岩谷 龍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-149178
公開番号（公開出願番号）：特開2003-347514
出願日： 2002年05月23日
公開日（公表日）： 2003年12月05日
要約：

【要約】【課 題】 本発明は、材料特性の劣化を極力避けて、強誘電体薄膜の結晶粒径を微細化することができる強誘電体キャパシタの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 下部電極上に強誘電体の前駆体薄膜を形成するA工程と、熱流ベクトルを制御して強誘電体の前駆体薄膜を結晶化して強誘電体薄膜とするB工程と、強誘電体薄膜の上に上部電極を形成するC工程とを備えていることを特徴とする少なくとも下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極の積層構造よりなる強誘電体キャパシタの製造方法。

請求項（抜粋）：

下部電極上に強誘電体の前駆体薄膜を形成するA工程と、熱流ベクトルを制御して強誘電体の前駆体薄膜を結晶化して強誘電体薄膜とするB工程と、強誘電体薄膜の上に上部電極を形成するC工程とを備えていることを特徴とする少なくとも下部電極、強誘電体薄膜及び上部電極の積層構造よりなる強誘電体キャパシタの製造方法。

IPC (7件)：

H01L 27/105 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651 ,  H01L 29/78 371

Fターム (24件)：

5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC20 ,  5F058BF46 ,  5F058BF80 ,  5F058BH01 ,  5F083AD00 ,  5F083FR01 ,  5F083FR07 ,  5F083JA15 ,  5F083JA17 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA45 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR23 ,  5F083PR34 ,  5F101BA62 ,  5F101BH01 ,  5F101BH02 ,  5F101BH16