特許
J-GLOBAL ID：200903051084840431
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-330796
公開番号（公開出願番号）：特開平10-173047
出願日： 1996年12月11日
公開日（公表日）： 1998年06月26日
要約：
【要約】【課題】 層間絶縁膜の容量の低減効果を損なうことなく、良好な熱伝導により、配線中で発生した熱を外部に放熱することができる半導体装置を得る。【解決手段】 この半導体装置は、半導体基板1上の層間絶縁膜2上に形成された金属配線3と、その上に積層された上敷低誘電率膜4と、熱伝導薄膜5を挟んで金属配線3の側面に隣接する、半導体基板1上に形成された低誘電率層間膜6と、上敷低誘電率膜4、熱伝導薄膜5及び低誘電率層間膜6上に形成された熱伝導層間膜7を備えており、上敷低誘電率膜4及び低誘電率層間膜6は熱伝導薄膜5及び熱伝導層間膜7よりも低い比誘電率を有し、一方、熱伝導薄膜5及び熱伝導層間膜7は上敷低誘電率膜4及び低誘電率層間膜6よりも高い熱伝導率を有しているので、層間絶縁膜容量の低減効果を損なうことなく、金属配線3中で発生した熱を熱伝導薄膜5及び熱伝導層間膜7を通じて放熱することができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された配線と、この配線上に積層された第1の絶縁膜と、上記配線の側面に接する第2の絶縁膜と、この第2の絶縁膜を挟んで上記配線の側面に隣接する、上記半導体基板上に形成された第3の絶縁膜とを備え、上記第1及び第3の絶縁膜は上記第2の絶縁膜よりも低い比誘電率を有し、一方、上記第2の絶縁膜は上記第1及び第3の絶縁膜よりも高い熱伝導率を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/768
, H01L 21/314
H01L 21/90 K
, H01L 21/314 A
