特許

J-GLOBAL ID：200903051087059919

リッジ埋込み型半導体レーザ及びその製造方法

発明者： 林 伸彦 ,  松川 健一
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 目次 誠 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-088481
公開番号（公開出願番号）：特開平6-302907
出願日： 1993年04月15日
公開日（公表日）： 1994年10月28日
要約：

【要約】【目的】 比較的簡単な工程を経て容易に形成することができ、かつ特性の安定性に優れている、電流非注入部を備えたリッジ埋込み型半導体レーザを提供する。【構成】 n-GaAs基板11上に、n-Ga0.5 Al0.5 Asクラッド層12、活性層13、p-Ga0.5 Al0.5 Asクラッド層14、p-GaAsキャップ層15を積層してなり、上記p-クラッド層14及びp-キャップ層15をエッチングすることによりメサ状リッジAが構成されており、上記メサ状リッジAの外側にn-電流ブロック層17が形成されており、電流非注入部が、上記メサ状リッジAの上面に形成された所定幅の絶縁層16及び空洞19で構成されている、リッジ埋込み型半導体レーザ10。

請求項（抜粋）：

第1の導電型のクラッド層と、第1の導電型のクラッド層上に積層された活性層と、前記活性層上に形成されており、かつ活性層とは反対側の面にメサ状リッジが形成された第2の導電型のクラッド層と、前記第2の導電型のクラッド層のメサ状リッジの両側に形成された電流ブロック層とを備え、出射端面間の一部の領域に電流非注入部が形成されたリッジ埋込み型半導体レーザにおいて、前記電流非注入部が、メサ状リッジの上方に該リッジ上面よりも幅広に形成された絶縁層と、該絶縁層上に形成された空洞とにより構成されていることを特徴とする、リッジ埋込み型半導体レーザ。